桂林电子科技大学学报

2017, v.37;No.150(03) 173-176

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Ka波段低旁瓣四单元切比雪夫有源子阵的设计
Design of Ka-band low sidelobe four cell Chebyshev active subarray

汤佳龙;廖欣;

摘要(Abstract):

为了降低旁瓣,提高子阵增益,设计了一种Ka波段低旁瓣四单元切比雪夫有源子阵。利用电磁场仿真软件对无源子阵和有源放大电路进行仿真与优化。实物测试结果表明,有源子阵在28~29.5GHz频段内S11<-10dB,增益为16.3dB,H面旁瓣电平为-13.4dB,相比于无源子阵,有源子阵相对带宽提高了2.4%,增益增加了6.3dB。

关键词(KeyWords): 有源子阵;;功率放大器;;四单元子阵;;高增益;;小型化

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation): 广西科学研究与技术开发计划(桂科AB16380316)

作者(Author): 汤佳龙;廖欣;

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参考文献(References):

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